一、?崗位職責描述
1、?GaN功率器件結構設計、模擬仿真和版圖設計；
2、?器件工藝開發(fā)；
3、?器件新工藝的工藝標準、檢驗標準的編制、修訂和培訓；
4、器件工藝優(yōu)化，以提高生產效率和產品質量。
二、?崗位要求
1、?碩士及以上學歷，半導體或微電子相關專業(yè)。
2、?有GaN?HEMT?芯片工藝經驗，良好的管理能力、溝通能力和分析解決問題的能力。
3、?工作積極主動、認真負責，有良好的團隊合作精神。
4、?熟悉ISO9001:2008?、ISO14001:2004、?GB/T28001-2011的相關內容。
5、?參與過已量產的Si襯底上GaN?HEMT芯片產品研發(fā)或生產優(yōu)先。
6、?年齡在40周歲以下。
